AC Wilson, C. Ospelkaus, AP VanDevender, JA Mlynek, KR Brown, D. Leibfried et DJ Wineland
Nous présentons un système laser à semi-conducteurs générant 750 mW de lumière continue monomode à 313 nm. La génération de fréquence à l'échelle du micromètre ( µm à l'aide de lasers à fibre à 1550 et 1051 nm produit jusqu'à 2 W à 626 nm. Cette lumière visible est ensuite convertie en ultraviolet par génération de second harmonique amplifiée par cavité. La fréquence de sortie du laser est accordable sur une bande de 495 GHz, incluant le refroidissement laser du ⁹Be⁺ et les transitions µm stimulées. Il s'agit du premier système laser à raie spectrale étroite, suffisamment puissant pour réaliser des opérations de portes quantiques à l'échelle µm tolérantes aux pannes, avec des ions ⁹Be⁺ piégés, grâce à l'utilisation de transitions Raman stimulées.
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